ICP-RIE Oxford Plasma Technology

PlasmaPro 100 RIE – Sistema di Incisione a Secco Isotropica e Anisotropica

I moduli PlasmaPro 100 RIE offrono capacità avanzate di incisione a secco isotropica e anisotropica, ideali per un'ampia gamma di applicazioni. Il sistema è adatto sia per attività di ricerca che di produzione, grazie a un ambiente controllato con camera load-lock, che migliora la ripetibilità del processo.

Il sistema integra un modulo ICP RIE (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching) ad alta densità, che consente elevate velocità di incisione, garantendo al contempo uniformità eccellente, elevata precisione, basso danneggiamento dei substrati e alta produttività.


Caratteristiche principali:

  • Compatibilità con tutti i diametri di wafer fino a 100 mm

  • Processamento di wafer singoli o in batch con controllo di processo eccellente

  • Controllo preciso dei gas di processo e della potenza del plasma

  • Uniformità di incisione eccellente, alta precisione e throughput elevato

  • Elettrodo con ampia gamma di temperatura: da -150°C a +400°C

  • Alte velocità di incisione e elevata selettività tra materiali

  • Processi a basso danneggiamento e elevata ripetibilità

  • Raffreddamento posteriore del wafer con elio (He backside cooling) per un controllo ottimale della temperatura


Gas di processo supportati:

  • C₄F₈

  • CHF₃

  • CF₄

  • SF₆

  • Ar

  • O₂


Applicazioni principali:

  • Optoelettronica su GaAs e InP (laser)

  • microLED e metalenti

  • Elettronica di potenza e RF su SiC e GaN

  • MEMS e sensori

Il PlasmaPro 100 RIE è una soluzione versatile e avanzata per la micro- e nano-fabbricazione, offrendo prestazioni elevate e una vasta flessibilità per diverse tecnologie e settori.

 
 
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